试制的元件的断面(点击放大)

NMOS的Idsat与Ioff的关系(点击放大)

PMOS的Idsat与Ioff的关系(点击放大)

美国英特尔在“IEDM 2009”上发布了高性能微处理器用32nm级逻辑制造技术(论文序号28.4)。采用了该公司第2代“high-k栅极绝缘膜+金属栅极”技术以及第4代应变硅技术。

此次公布的晶体管性能如下所示。PMOS的Idsat为1.37mA/μm(Ioff为100nA/μm、电压为1.0V时)，较45nm级技术增加了28%。PMOS的驱动电流值“也比此前发布的32nm级及28nm级技术大”(英特尔)。NMOS的Idsat为1.62mA/μm(Ioff为100nA/μm、电压为1.0V时)，较45nm级技术增加了19%。

32nm级SRAM的阵列密度为4.2Mbit/mm²，英特尔称“在迄今为止发布的32nm级及28nm级技术中，达到了最高值”。该公司称，此次发布的32nm级技术的晶圆偏差及随机偏差均与45nm级技术相同。high-k的EOT为0.9nm。high-k栅极及金属栅极均利用后栅极工艺形成。

英特尔表示，目前正在采用该32nm级技术，“从两个工厂量产供货多核微处理器”。