【微机械展】“蚀刻速度56μm/分” 面向贯通电极芯片

【微机械展】“蚀刻速度56μm/分” 面向贯通电极芯片

发布人：worker　日期：2005-11-17　关键字：芯片　来源：日经BP

　　松下生产科技公司（Panasonic Factory Solutions）在微机械展上以展板形式介绍了可用于基于MEMS元器件及贯通电极的多层芯片的深度蚀刻装置。针对希望降低量产成本的元器件厂商宣传了该装置的特点“蚀刻速度达56μm/分，为业界最高”（该公司）。

　　该公司改进了原来推出的ICP(感应耦合等离子体)式蚀刻装置。通过改进作为等离子源的线圈的形状，将等离子密度提高了1个数量级。56μm/分的蚀刻速度是在150mm晶圆、开口率1%时实现的。除面向量产用途外，还将作为研发用装置供应。面向量产用途的装置计划2006年春季向多家元器件厂商供货。此外，关于面向MEMS元器件量产的设计、制造基础设施，《日经微器件》12月刊将做介绍。（记者：三宅 常之）

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